ВАЖНО:Свежие новости из первых уст
» » Samsung представила чипы мобильной памяти объемом 4 Гб
Раздел: Технологии  
0

Samsung представила чипы мобильной памяти объемом 4 Гб

Samsung представила чипы мобильной памяти объемом 4 ГбНовые чипы обеспечат прирост производительности на 50%, при том, что будут потреблять на 40% меньше энергии.

Вслед за выпуском фаблета Galaxy Note 3 c 3 ГБ оперативной памяти на борту южнокорейский производитель мобильных устройств, компания Samsung, решила, что пришло время для увеличения объема доступной памяти в будущих устройствах и анонсировала RAM-модули объемом 4 ГБ для мобильных гаджетов.

Первые в мире 8-гигабитные, маломощные двухканальные модули LPDDR4 откроют двери для производства более мощных смартфонов и других устройств, ожидать которые стоит уже в следующем году.

По словам портала Samsung Tomorrow, новые модули смогут предложить «самый высокий уровень плотности, производительности и энергоэффективности для мобильных задач». Новые чипы не только позволят владельцам устройств с 4 ГБ памяти наслаждаться более быстрой и отзывчивой работой их устройств, но и привнесут ряд новых технологических возможностей. Чипы будут наделены поддержкой работы с дисплеями очень высокого разрешения и обещают снизить общий уровень потребления питания.

«Новое поколение модулей памяти LPDDR4 DRAM внесет значительный вклад в развитие мирового рынка мобильной оперативной памяти и в скором времени станет его неотъемлемой частью», — говорит Ён Хюн Чун, исполнительный вице-президент направления Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics.

«Мы продолжим внедрение самых передовых технологий мобильной оперативной памяти, находясь при этом всегда на один шаг впереди всей остальной индустрии и давая возможность мировым производителям комплексного оборудования (ОЕМ) выпускать инновационные мобильные устройства, которые будут полностью соответствовать требованиям современных пользователей».

По словам представителей компании Samsung, новые 8-гигабитные чипы памяти LPDDR4 производятся по 20-нм техпроцессу, а это значит, что такая память будет обладать самой высокой плотностью среди доступных DRAM-компонентов, представленных сегодня на рынке. Кроме того, новые модули используют новый интерфейс ввода-вывода Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL), обеспечивающий скорость передачи данных в 3200 мегабит в секунду на контакт, что в два раза выше по сравнению с тем, что могут предложить 20-нм чипы памяти LPDDR3, которые сейчас массово и используются.

По словам все той же Samsung, новые чипы обещают 50-процентный прирост производительности по сравнению с самыми быстрыми чипами LPDDR3 и DDR3, и при этом потребляют примерно на 40 процентов меньше питания, требуя всего 1,1 В.

Читайте также: MRAM - новое поколение оперативной памяти

Новые модули будут направлены на рынок мобильных устройств премиум-сегмента, где будут располагаться смартфоны и планшеты с большими UHD-дисплеями, а также ультратонкие ноутбуки.

Источник: Hi-Tech News
Если вы нашли ошибку в тексте, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter
Загрузка...
загрузка...
2-01-2014, 19:12 » Автор: Богдан Процив
     2642
     0


Оставьте свой комментарий

Имя:*  
E-Mail:
Полужирный Наклонный текст Подчёркнутый текст Зачёркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
Введите текст с изображения: *


наверх