ВАЖНО:Свежие новости из первых уст
» » Появится первое устройство на базе технологии ReRAM, которое способно записывать данные в 10 000 раз быстрее
Раздел: Технологии  
0

Появится первое устройство на базе технологии ReRAM, которое способно записывать данные в 10 000 раз быстрее

Появится первое устройство на базе технологии ReRAM, которое способно записывать данные в 10 000 раз быстрееКрупнейший японский производитель электроники Panasonic сообщает, что в августе текущего года начнутся поставки их продукта, который станет первым в мире коммерческим устройством на основе инновационной технологии памяти ReRAM. В компании отметили, что имеются в виду устройства MN101LR, представляющие собой линейку микросенсоров окружающей среды. Данные устройства устанавливаются в системы пожарной сигнализации, медицинского оборудования, контроля воздуха. Представители Panasonic уверяют, что использование новой технологии в подобных системах поможет создавать сенсоры с более простой конструкцией, а также значительно увеличит производительность по сравнению с сегодняшними аналогами.

Чипы памяти типа ReRAM имеют ряд преимуществ над используемыми сегодня чипами флэш-памяти NAND. Новый тип чипов потребляет гораздо меньше электроэнергии и способен записывать данные в 10 000 раз быстрее. Новые модули памяти предлагают использовать как в компьютерах, так и в других устройствах электроники - плеерах, камерах и т.д.

ReRAM - это один из видов хранения данных, который не исчезает при отключении питания, и потребляет малое количество электроэнергии. Данная технология в будущем может стать заменой флэш-памяти, которая сейчас используется, как основной тип хранения информации в мобильных устройствах. Память типа ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя - она может быть, как Flash, DRAM так и жестким диском.

Чипы ReRAM базируются на основе так называемых мемристоров, отличающихся значительно большей способностью к хранению данных, чем нынешние аналоги. Для работы мемристоров нужно мало электроэнергии, они отличаются более скоростной работой по сравнению с твердотельными накопителями, и могут сохранять данные при отключенном питании.

Мемристор (сокращенно от английского "Memory resistor" - "резистор памяти") - пассивный двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, имеющий гистерезис. Он был предложен профессор Университета Калифорнии (Berkeley) Леон Чуа в 1971г. Тогда он выдвинул предложение использовать данный элемент в качестве четвертого основного элемента микросхемы. Спустя долгих 35 лет после этого разработчики из Лаборатории НР впервые реализовали мемристор на практике. По мнению разработчиков HP Labs данные элементы будут использоваться в наноэлектронике и смогут стать основным элементом в системе, которая будет имитировать работу человеческого мозга.
Если вы нашли ошибку в тексте, выделите её мышью и нажмите Ctrl+Enter
Загрузка...
загрузка...
31-07-2013, 15:45 » Автор: Богдан Процив
     1604
     0


Оставьте свой комментарий

Имя:*  
E-Mail:
Полужирный Наклонный текст Подчёркнутый текст Зачёркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
Введите текст с изображения: *


наверх