hronika.info
Технологии

Появится первое устройство на базе технологии ReRAM, которое способно записывать данные в 10 000 раз быстрее

Появится первое устройство на базе технологии ReRAM, которое способно записывать данные в 10 000 раз быстрееКрупнейший японский производитель электроники Panasonic сообщает, что в августе текущего года начнутся поставки их продукта, который станет первым в мире коммерческим устройством на основе инновационной технологии памяти ReRAM. В компании отметили, что имеются в виду устройства MN101LR, представляющие собой линейку микросенсоров окружающей среды. Данные устройства устанавливаются в системы пожарной сигнализации, медицинского оборудования, контроля воздуха. Представители Panasonic уверяют, что использование новой технологии в подобных системах поможет создавать сенсоры с более простой конструкцией, а также значительно увеличит производительность по сравнению с сегодняшними аналогами.

Чипы памяти типа ReRAM имеют ряд преимуществ над используемыми сегодня чипами флэш-памяти NAND. Новый тип чипов потребляет гораздо меньше электроэнергии и способен записывать данные в 10 000 раз быстрее. Новые модули памяти предлагают использовать как в компьютерах, так и в других устройствах электроники — плеерах, камерах и т.д.

ReRAM — это один из видов хранения данных, который не исчезает при отключении питания, и потребляет малое количество электроэнергии. Данная технология в будущем может стать заменой флэш-памяти, которая сейчас используется, как основной тип хранения информации в мобильных устройствах. Память типа ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя — она может быть, как Flash, DRAM так и жестким диском.

Чипы ReRAM базируются на основе так называемых мемристоров, отличающихся значительно большей способностью к хранению данных, чем нынешние аналоги. Для работы мемристоров нужно мало электроэнергии, они отличаются более скоростной работой по сравнению с твердотельными накопителями, и могут сохранять данные при отключенном питании.

Мемристор (сокращенно от английского «Memory resistor» — «резистор памяти») — пассивный двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, имеющий гистерезис. Он был предложен профессор Университета Калифорнии (Berkeley) Леон Чуа в 1971г. Тогда он выдвинул предложение использовать данный элемент в качестве четвертого основного элемента микросхемы. Спустя долгих 35 лет после этого разработчики из Лаборатории НР впервые реализовали мемристор на практике. По мнению разработчиков HP Labs данные элементы будут использоваться в наноэлектронике и смогут стать основным элементом в системе, которая будет имитировать работу человеческого мозга.

Рекомендуем прочитать

Индия не будет спрашивать разрешения на запуск моделей ИИ

OSHU

ИИ в проектировании белков: это уже не игрушки

OSHU

Безумные геоинженерные решения: борьба с глобальным потеплением?

OSHU