Чип Snapdragon 835 создан на базе 10-нанометрового техпроцесса.
Компании Samsung Electronics и Qualcomm Technologies создали новое поколение флагманских чипсетов Snapdragon 835, передает Engadget.
Известно, что новинка будет на 40% менее энергозатратной, а также на 27% более производительной, пишет Хроника.инфо со ссылкой на Корреспондент.
Однако в настоящее время производитель не сообщает точные характеристики продукта.
Известно, что в чипе применена новая технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой заряжать устройства можно будет в 2,5 раза быстрее.
Особенностью чипсета является то, что он построен на базе 10-нанометрового техпроцесса.
Читайте также: Xiaomi представила мощный флагманский смартфон Mi Note 2
Ожидается, что производитель раскроет все характеристики в начале января. Новые гаджеты, созданные на базе Snapdragon 835, начнут поступать на рынок в начале 2017 года.