К 2017 году ёмкость многослойной флеш-памяти достигнет одного терабита на кристалл.
Многослойная память Samsung TLC 3D V-NAND хороша во всех отношениях: благодаря использованию сравнительно грубого техпроцесса она надёжна, даже несмотря на трёхъячеечную архитектуру, а благодаря многослойности — имеет существенно большую емкость по сравнению с традиционной однослойной MLC. На выставке CES 2015 компания продемонстрировала кремниевые пластины, содержащие новейшие чипы NAND.
Показаны были как 16-гигабитные кристаллы классической флеш-памяти MLC, произведённой с использованием нового 10-нанометрового техпроцесса, так и 32-слойные кристаллы TLC 3D V-NAND ёмкостью 128 гигабит. Как уже было упомянуто, трёхмерная память типа TLC существенно надёжнее обычной планарной того же типа, поэтому неудивительно, что Samsung планирует массово поставлять новые чипы корпоративному сектору рынка, в котором велики требования как к надёжности, так и к ёмкости твердотельных накопителей.
Читайте также: Ativ One 7 — изогнутый моноблок от Samsung. Фото
Пока 128 гигабит является максимумом для одного 32-слойного кристалла 3D V-NAND, хотя Intel и заявляет, что движется прямиком к созданию кристаллов вдвое большей ёмкости, 256 гигабит. Работает над их созданием и Samsung, но, к сожалению, деталей компания-разработчик не разглашает. Предполагается, что к 2017 году ёмкость многослойной флеш-памяти достигнет одного терабита на кристалл. Похоже, совсем скоро на этом рынке разгорится настоящая война, поскольку к Samsung и Intel намеревается присоединиться и Toshiba.
Источник: 3DNews