Samsung представила мощный 10-нанометровый процессор

Exynos 9 Series 8895 создан на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET.

Компания Samsung представила свой мощнейший флагманский процессор Exynos 9 Series 8895, который создан на основе 10-нанометрового техпроцесса FinFET с транзисторной 3D-структурой, передает интернет-издание Хроника.инфо со ссылкой на Корреспондент.

Известно, что технология, использованная в процессоре южнокорейского производителя, задействована в другом топовом процессоре — Snapdragon 835 от Qualcomm, который также разрабатывался при участии Samsung.

Предполагается, что именно Exynos 9 Series 8895 лег в основу линейки флагманских смартфонов компании — Galaxy S8, презентация которых ожидается в апреле этого года.

Сообщается, что процессор позволяет загружать данные со скоростью 1 Гбит/с, а передачу в сеть — на скорости до 150 Мбит/с. Кроме того, новинка первой, по словам производителя, получила гигабитный LTE-модем с агрегацией пяти несущих.

Читайте также: Обнародованы подробности о фаблете Samsung Galaxy S8 Plus

Процессор Exynos 9 Series 8895 должен обеспечить производительность на 27 процентов выше, в сравнении с предшественником, при этом расходуя на 40 процентов меньше энергии.

Похожие статьи

Сельская Индия: новый фронтир для технологических стартапов

Битва за цифровое небо Индии: противостояние Илона Маска и Мукеша Амбани

Миссия Europa Clipper: в поисках внеземной жизни